[发明专利]通过腔室泵抽和吹扫降低释气对处理腔室的影响在审
| 申请号： | 201980007890.X | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111566795A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 约翰·巴格特 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/48;C23C14/54;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 刘新宇;寿宁 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种工件处理系统，其具有耦接至释气腔室的处理腔室。释气腔室阀选择性使处理环境与相应的处理腔室和释气腔室内限定的释气环境隔离。加热器选择性使释气腔室中的工件支撑件上的工件加热到第一预定温度。真空源选择性使释气腔室减压到第一预定压力。工件传送设备选择性在释气腔室与处理腔室之间传送工件。控制器通过释气腔室阀来隔离释气腔室中的工件，并且控制器配置成通过相应的加热器和真空源而同时使工件加热到第一预定温度并使释气腔室减压到第一预定压力。在第一时间段内使工件保持第一预定温度和第一预定压力，该第一时间段与预定释气阈值相关联。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 腔室泵抽 降低 处理 影响 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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