[发明专利]非晶质二氧化硅粉末及其制造方法、用途有效

专利信息
申请号: 201980008145.7 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN111566048B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 佐佐木修治;新田纯也;山隈龙马;吉开浩明;宫崎孝治 申请(专利权)人: 电化株式会社
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;C08K3/36;C08L101/00;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李国卿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够制备绝缘可靠性极高、并且高成型性的半导体密封材料的非晶质二氧化硅粉末、和含有其而成的树脂组合物。非晶质二氧化硅粉末,其特征在于,平均粒径为3μm以上且50μm以下,250μm以上的干式筛残存率为5.0质量%以下,通过特定的方法测定的45μm以上的磁化性粒子的个数为0个。
搜索关键词: 非晶质 二氧化硅 粉末 及其 制造 方法 用途
【主权项】:
暂无信息
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