[发明专利]通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法在审
| 申请号： | 201980008225.2 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111630203A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | T.J.V.布兰夸特 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/32;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/505;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在填充有挥发性前体的腔室中撞击等离子体而在气相中形成粘性材料来沉积具有衬底表面上的图案化凹部的填充能力的膜，所述挥发性前体可在某些参数范围内聚合，该参数范围包括等离子体撞击期间前体的分压和衬底温度。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 等离子体 辅助 沉积 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
