[发明专利]半导体材料及半导体装置在审
| 申请号： | 201980008397.X | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111742408A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 国武宽司;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L27/32;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种抑制导致特性变动、元件劣化或绝缘破坏的带电现象的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，其中，第四晶体管包括第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体，第一导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第二导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第三导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，并且，第四导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
