[发明专利]含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液在审
| 申请号： | 201980008715.2 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111684570A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 下田享史;根岸贵幸;吉川由树;东野诚司 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/10;C11D7/32;C11D17/08;H01L21/308;C11D7/54 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种用于去除附着于半导体晶圆的端面部、背面部的钌和钨的处理液以及清洗方法。本发明的技术方案是一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，所述处理液含有(A)次氯酸根离子和(C)溶剂，所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。本发明提供一种通过使该处理液与具有钌或者钨的半导体晶圆接触来从半导体晶圆中去除钌、钨从而清洗半导体晶圆的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 次氯酸 离子 半导体 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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