[发明专利]消弧装置和多级消弧设备有效
| 申请号： | 201980009331.2 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111630744B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | H·舍克维斯特;S·赫内默德;L·埃普雷希特;T·舒特;M·斯图德 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/06 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 姜浩然;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种消弧装置。该消弧装置具有第一端子(1)和第二端子(2)，该端子(1，2)能够连接到中至高阻抗交流电压源(AV)，该消弧装置包括：触发电路(B)，该触发电路连接在第一端子(1)和第二端子(2)之间并且构造成响应于超过触发电路(B)的至少一个触发元件两端的阈值电压而输出触发信号；正极侧信号电路(C)和负极侧信号电路(D)，该正极侧信号电路和该负极侧信号电路构造成分别根据从触发电路(B)输入的正电压信号或负电压信号输出正箝位信号或负箝位信号；正极侧过电压箝位电路(E)和负极侧过电压箝位电路(F)，该正极侧过电压箝位电路和该负极侧过电压箝位电路各自包括连接在第一端子(1)和第二端子(2)之间的可控半导体元件(ES，FS)，该过电压箝位电路(E，F)构造成当存在来自对应信号电路(C，D)的箝位信号时控制它们各自的半导体元件(ES，FS)处于导通状态，并构造成当预定时间段内不存在相应箝位信号时控制它们的半导体元件(ES，FS)处于非导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 多级 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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