[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980010071.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111656530A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;冈崎健一;及川欣聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的导电体、与第二氧化物的顶面的一部分、第二氧化物的侧面的一部分及第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及与第三氧化物的顶面、第一绝缘体的顶面、导电体的顶面及第三绝缘体的顶面接触的第四绝缘体，第二氧化物具有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域，导电体以重叠于第三区域的方式设置在第三区域的上方，第三氧化物的一部分及第一绝缘体的一部分设置在导电体的侧面与第三绝缘体的侧面之间，第二绝缘体与第一区域及第二区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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