[发明专利]在多重图案化处理中使用原子层沉积的间隔件轮廓控制在审
| 申请号： | 201980010351.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111656488A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 米尔扎弗·阿巴查夫;傅乾;山口叶子;亚伦·埃普勒 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H05H1/46;H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了用于在多重图案化处理中使用原子层沉积(ALD)来控制间隔件轮廓的方法和设备。以多图案化方案将氧化硅间隔件沉积在图案化的芯材料和衬底的目标层上。通过多个ALD循环在包括氧化时间、等离子功率和衬底温度的第一氧化条件下沉积氧化硅间隔件的第一厚度。在第二氧化条件下通过多个ALD循环沉积氧化硅间隔件的第二厚度，其中第二氧化条件与第一氧化条件的区别在于一个或多个参数。在蚀刻图案化的芯材料之后，氧化硅间隔件的所得轮廓至少部分取决于第一和第二氧化条件。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 图案 处理 使用 原子 沉积 间隔 轮廓 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980010351.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
