[发明专利]存储器控制器在审
| 申请号： | 201980010364.9 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111656335A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | T·M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F12/0815 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器控制器电路(100)，其可耦合到第一存储器电路(125)，例如DRAM，并且包含：第一存储器控制电路(155)，其从所述第一存储器电路读取或对所述第一存储器电路写入；第二存储器电路(175)，例如SRAM；第二存储器控制电路(160)，其被调适成当所述所请求的数据存储于所述第二存储器电路中时，响应于读取的读取请求而从所述第二存储器电路读取，否则将所述读取请求传送到所述第一存储器控制电路；预定原子操作电路系统(185)；和可编程原子操作电路系统(135)，其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储器控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储器电路的高速缓存行设置危险位。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 控制器 | ||
【主权项】：
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