[发明专利]短路半导体器件及其运作方法

摘要

一种短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)包括半导体本体(16)，其中，布置有第一导电类型的背面基极区域(6)、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域(7)和第一导电类型的正面基极区域(8)。所述背面基极区域(6)与背面电极(11)导电地相连接，所述背面电极具有背面电极宽度(WER)，并且所述正面基极区域(8)与正面电极(10)导电地相连接，所述正面电极具有正面电极宽度(WEV)，其中，至少一个正面接通结构(17)被嵌入到所述正面基极区域中并且至少部分地被所述正面电极(10)覆盖，所述正面接通结构具有正面接通结构宽度(WSV)，和/或者至少一个背面接通结构(31)被嵌入到所述背面基极区域中并且至少部分地被所述背面电极覆盖，所述背面接通结构具有背面接通结构宽度(WSR)。所述接通结构被设计成依赖于输入的接通信号而接通并且一次性地在两个电极之间建立不可逆的、低电阻的连接。所述正面接通结构宽度与所述正面电极宽度的比率以及所述背面接通结构宽度与所述背面电极宽度的比率分别小于1。本发明还涉及一种用于运作这样的短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)的方法。