[发明专利]背栅场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980011271.8 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN111670486A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | M·休梅克;T·西马尼;S·富勒;Y·斯泰因;D·墨菲 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/02;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种背栅碳纳米管场效应晶体管(CNFET)提供：(1)减小的寄生电容，这减小能量延迟乘积(EDP)，因此改进数字系统(例如，极大规模集成电路)的能效，以及(2)将晶体管缩放到较小技术节点(例如，亚3nm节点)。示例性背栅CNFET包含沟道。源极和漏极安置于所述沟道的第一侧上。栅极安置于所述沟道的与所述第一侧相对的第二侧上。以此方式，所述背栅CNFET的接触栅极节距(CGP)可缩小，而不缩放物理栅极长度(L |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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