[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法在审
| 申请号： | 201980012083.7 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111699559A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明揭示一种晶体管，其包括一对源极/漏极区域，所述对源极/漏极区域之间具有沟道。晶体管栅极构造是操作地接近所述沟道。所述沟道包括Si |
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| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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