[发明专利]半导体存储装置、半导体存储装置的制造方法及电子装置

摘要

[问题]用于提供一种半导体存储装置和电子装置，半导体存储装置包括具有更优化的结构的铁电电容器作为存储器单元。[解决方案]一种半导体存储装置，包括：场效应晶体管，设置在半导体衬底的有源区域中；铁电电容器，具有将铁电膜保持在其间的第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个；源极线，电连接到所述铁电电容器的所述第二电容器电极；以及位线，电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的另一个。所述场效应晶体管的栅极电极在第一方向上延伸超出所述有源区域，并且所述源极线和所述位线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。