[发明专利]拒水性保护膜形成剂和拒水性保护膜形成用化学溶液有效
| 申请号： | 201980012741.2 | 申请日： | 2019-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111699546B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 奥村雄三;近藤克哉;山田周平;两川敦;福井由季 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于在包含硅元素的晶片的表面形成拒水性保护膜的新型拒水性保护膜形成剂或新型拒水性保护膜形成用化学溶液、以及使用液体状态的该拒水性保护膜形成剂或该化学溶液的晶片表面处理方法。本发明的拒水性保护膜形成剂为选自由下述通式[1]所示的胍衍生物和下述通式[2]所示的脒衍生物组成的组中的至少1种硅化合物。#imgabs0# | ||
| 搜索关键词： | 水性 保护膜 形成 化学 溶液 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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