[发明专利]改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法在审
申请号: | 201980014691.1 | 申请日: | 2019-02-05 |
公开(公告)号: | CN111742417A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 赵宏明 | 申请(专利权)人: | 贺利氏德国有限两合公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 赵超 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法,其中,将所述接触格与电压源的一个电极电连接,以及,将一个与所述电压源的另一电极电连接的接触装置同所述背触点连接,以及,通过所述电压源施加一个与所述硅太阳能电池的正向反向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压,以及,在存在所述电压的情况下,用点光源对所述面向太阳的一侧的某个分区的局部进行照明,从而在所述分区内感生电流,以及,所述电流就所述局部而言具有200A/cm |
||
搜索关键词: | 改善 太阳能电池 接触 发射极 之间 欧姆 特性 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贺利氏德国有限两合公司,未经贺利氏德国有限两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980014691.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的