[发明专利]在双极静电卡盘的部分上具有电极的双极静电卡盘在审
| 申请号： | 201980015431.6 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111788670A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曹生贤 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种双极静电卡盘。双极静电卡盘包括：底座；下部介电层，形成于底座的整个上部表面上；边缘电极部分，沿着边沿形成在下部介电层的上部侧上，边缘电极部分包括第一电极和第二电极，第二电极与第一电极分隔开且具有与第一电极的极性不同的极性；和上部介电层，形成于下部介电层和边缘电极部分的上部侧上，其中，在平面图中，双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域和中心区域，边缘电极形成区域对应至从边缘至边缘电极部分的区域，且中心区域对应至除了边缘电极形成区域之外的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 部分 具有 电极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
