[发明专利]等离子处理装置以及晶片处理方法

摘要

提供使处理的成品率提升的等离子处理装置以及晶片处理方法。晶片处理方法具备如下工序：对载置在配置于处理室内的样品台的上表面的处理对象的晶片照射光或电磁波，来加热预先形成于该晶片上表面的膜层的上表面的该膜层的化合物层，从而将其去除，在所述晶片处理方法中，在所述工序中，接受由所述晶片的上表面反射的所述光或所述电磁波，对于表示该光或该电磁波的以波长为参数的强度的时间变化的信号，使用在所述样品台的所述上表面的外周侧的部位接受所述光或所述电磁波而检测到的该光或该电磁波的强度的信息进行补正，从而判定所述膜层的剩余膜厚或所述工序的终点。