[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980016069.4 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111788697A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司;塚本阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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