[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置在审
| 申请号： | 201980017815.1 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111819665A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 柳泽佑典;泷野裕辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/768;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态下对第一膜进行蚀刻，由此使各凸部的顶部和多个凸部之间的处理对象膜露出。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
