[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980017819.X | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111819666A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 岩野光纮;细谷正德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个例示的实施方式的蚀刻方法中，在等离子体处理装置的腔室内生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，在基片上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤。基片具有由含硅材料形成的第一区域和由含金属材料形成的第二区域。接着，在腔室内生成稀有气体的等离子体，对基片供给稀有气体离子。其结果是，用沉积物中的碳氟化合物对第一区域进行蚀刻。在生成稀有气体的等离子体时，利用电磁体形成磁场的分布，该磁场的分布在基片的边缘侧的上方具有比基片的中心的上方的水平成分大的水平成分。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980017819.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蚀刻方法和蚀刻装置
- 下一篇：视频解码方法和装置以及视频编码方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
