[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201980018129.6 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111836873B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 黄基煜;高尚兰;赵娟振;崔正敏 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法。所述蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 蚀刻 组成 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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