[发明专利]基于蚀刻残渣的抑制剂的选择性处理在审
| 申请号： | 201980018132.8 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111819659A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卡希什·沙玛;特塞翁格·金姆;萨曼莎·坦;丹尼斯·M·豪斯曼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以进行牺牲材料在半导体衬底上的选择性沉积，所述衬底具有有多个衬底材料区域的表面，所述多个衬底材料区域对于所述牺牲材料具有不同的选择性，使得在所述衬底表面的第一区域上发生所述牺牲材料的实质性沉积，而在所述衬底表面的第二区域上没有发生实质性沉积。然后可以在所述衬底上进行非牺牲材料的沉积，使得在所述第二区域上发生所述非牺牲材料的实质性沉积，并且在所述第一区域上没有发生所述非牺牲材料的实质性沉积。接着可以去除所述牺牲材料，使得仅在所述第二区域上实质性发生所述非牺牲材料的净沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蚀刻 残渣 抑制剂 选择性 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
