[发明专利]氧化铜纳米传感器在审
| 申请号： | 201980019017.2 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111868513A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | M·I·索万;A·J·博尔科维奇;J·威尔尼尔斯;S·施泰因豪尔;Z·兹阿迪 | 申请（专利权）人： | 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 解延雷;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于实现基于钌修饰的CuO纳米线在200℃和250℃的温度下的丙酮敏感响应的纳米颗粒沉积的系统和方法。该方法可用于构建传感器。用于构建传感器的方法很容易被广泛地集成到硅技术中，特别是集成到CMOX兼容性器件中。另外，预期这种纳米颗粒沉积方法可以转用于其它MOx纳米线传感器，例如但不限于氧化锌纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜 纳米 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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