[发明专利]雪崩鲁棒性LDMOS在审
| 申请号： | 201980019750.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111868932A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | S.L.涂;V.库什纳;E.范恩 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳亚洲有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李文娟 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体设备包括形成在衬底上方的有源区。所述有源区包括FET和二极管。所述FET包括一个或多个FET指。每个FET指包括FET源极区、FET漏极区和横向FET栅极电极。所述二极管包括一个或多个二极管指。所述二极管指中的每一个包括电耦合到所述FET源极区的二极管阳极区、电耦合到所述FET漏极区的二极管阴极区以及电耦合到所述二极管阳极区并与所述横向FET栅极电极电隔离的横向二极管栅极电极。所述FET指为所述半导体设备的有源指，并且所述二极管指为所述半导体设备的虚设指。所述二极管被配置为钳位跨所述FET漏极区和所述FET源极区产生的最大电压。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 鲁棒性 ldmos | ||
【主权项】：
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