[发明专利]晶圆的表面处理方法及用于该方法的组合物在审
申请号: | 201980020638.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN111886676A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 照井贵阳 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供蒸气处理用的新型组合物及使用该新型组合物的蒸气的具有Si元素的晶圆的表面处理方法,该新型组合物为拒水性保护膜形成成分的种类更少的组合物,其可以发挥与利用以往(拒水性保护膜形成成分的种类较多的)组合物的蒸气进行具有Si元素的晶圆表面的处理的情况同等的拒水性赋予效果,化学稳定性优异。本发明的晶圆的表面处理方法的特征在于,其为在表面具有凹凸图案且至少在该凹部具有Si元素的晶圆的清洗中,在上述凹凸图案的至少凹部保持有液体的状态下,将含有拒水性保护膜形成成分和溶剂的组合物的蒸气供给至上述凹凸图案表面,使上述蒸气的状态变为液体状态,将保持于上述凹部的液体置换为该组合物的液体,从而至少在上述凹部表面形成拒水性保护膜的方法,上述拒水性保护膜形成成分仅为下述通式[1]所示的化合物,上述溶剂至少含有非环状碳酸酯,溶剂总量中的上述非环状碳酸酯的量为50~100质量%。[式[1]中,R |
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搜索关键词: | 表面 处理 方法 用于 组合 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造