[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201980020756.3 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111937261B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;吉田真治;高桥邦方 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体发光元件(100)具备：GaN衬底(11)；被配置在GaN衬底(11)的上方且包括第1导电型的氮化物系半导体的第1半导体层(12)；被配置在第1半导体层(12)的上方且包括含有Ga或In的氮化物系半导体的活性层(15)；被配置在活性层(15)的上方且包括至少含有Al的氮化物系半导体的电子阻挡层(18)；以及被配置在电子阻挡层(18)的上方且包括与第1导电型不同的第2导电型的氮化物系半导体的第2半导体层(19)，电子阻挡层(18)具有：Al组成比以第1变化率来变化的第1区域；以及被配置在第1区域和第2半导体层(19)之间，Al组成比以第2变化率来变化的第2区域，在第1区域以及第2区域中，Al组成比针对从活性层(15)朝向第2半导体层(19)的方向为单调增加，第2变化率比第1变化率大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技日本株式会社，未经新唐科技日本株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980020756.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
