[发明专利]PZT材料结晶层的制造方法和外延生长PZT材料结晶层的衬底在审

专利信息
申请号: 201980021417.7 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN111918986A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 布鲁诺·吉瑟兰 申请(专利权)人: 索泰克公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B25/18;C30B29/22;H01L21/762;C30B33/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 龚泽亮;庞东成
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于生产PZT材料的结晶层的方法,其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底,随后外延生长所述PZT材料的结晶层。
搜索关键词: pzt 材料 结晶 制造 方法 外延 生长 衬底
【主权项】:
暂无信息
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