[发明专利]多晶硅的清洗方法、制造方法以及清洗装置有效
| 申请号： | 201980021525.4 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111989291B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 田崎博之;川口一博 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明使用少量的蚀刻除去多晶硅中包含的污染物，实现高纯度的多晶硅。使用使氟硝酸与多晶硅接触的第一清洗工序和使含氟酸的非氧化性药水与经过所述第一清洗工序的多晶硅接触的第二清洗工序，来清洗多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 方法 制造 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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