[发明专利]形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件在审
| 申请号： | 201980022770.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113016061A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;斯蒂芬·杰森尼戈;弗朗兹·施兰克;耶格·西格特 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供具有电介质(2)的衬底(1)、嵌入该电介质中的金属层(3)以及布置金属层上的含金属层(4)，该含金属层位于衬底与金属层之间。在衬底中以及衬底与金属层之间的电介质区域中形成导通孔(9)。在导通孔中施加绝缘层(11)并且从金属层的接触区域(10)上方将其去除，并且将含金属层从接触区域(10)完全去除。在导通孔中在接触区域上施加金属化部(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 贯穿 衬底 方法 以及 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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