[发明专利]少数层α-锗晶体、其制备过程及其用途在审
| 申请号： | 201980023355.3 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112218827A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | C·吉巴甲帕拉齐;J·戈梅斯埃雷拉;P·阿瑞斯加西亚;J·J·帕拉西奥斯布格斯;R·费里托克雷斯波;A·哥尼乌蒂加;F·J·萨莫拉阿巴纳德斯;D·罗德里格斯圣米格尔 | 申请（专利权）人： | 纳米创新技术公司;马德里自治大学 |
| 主分类号： | C01G17/00 | 分类号： | C01G17/00;C22B41/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王永伟 |
| 地址： | 西班牙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有片状形态的α‑锗晶体，所述晶体包括一个或多个堆叠的锗纳米片材，并且涉及获得所述晶体的两种方法。本发明还提供了包含本发明的α‑锗晶体的粉末、包含本发明的α‑锗晶体或本发明的粉末的分散体、以及包含所述分散体的油墨。 | ||
| 搜索关键词： | 少数 晶体 制备 过程 及其 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
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