[发明专利]氧化硅粉末的制造方法及负极材料在审

专利信息
申请号: 201980023536.6 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN111936422A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 柏谷悠介 申请(专利权)人: 株式会社大阪钛技术
主分类号: C01B33/32 分类号: C01B33/32;C01B33/113;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/58
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 刁兴利;康泉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: [课题]本发明制造一种含有Li,且尽管表面上具有C涂覆膜,但在粒子内和粒子间均具有均匀的Li浓度分布,并且抑制了SiC的生成的氧化硅类的负极材料。[解决方法]通过对包含Si、Li和O且其中Si的一部分作为Si单质而存在、Li作为硅酸锂而存在的含有Si和硅酸锂的原料进行减压加热,从而使SiO气体与Li气体同时产生。通过冷却产生的气体,从而制作一种平均组成为SiLixOy(0.05xy和0.5y1.5)的含Li氧化硅。在粒度调整后以900℃以下的处理温度,在粒子表面形成平均膜厚0.5~10nm的C涂覆膜。
搜索关键词: 氧化 粉末 制造 方法 负极 材料
【主权项】:
暂无信息
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