[发明专利]用于氮化物基发光器件中的空穴注入的异质隧穿结在审
| 申请号： | 201980023549.3 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN112313805A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | Z·马;D·刘 | 申请（专利权）人： | 威斯康星州男校友研究基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/32;H01L33/16;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供具有多量子阱(MQW)pin二极管结构的发光器件以及制造和使用该器件的方法。该发光器件包括：作为空穴注入体的隧穿异质结；n型接触部；和设置在隧穿异质结和n型接触部之间的发光活性区。该隧穿异质结有助于在偏压下的带间隧穿空穴注入，由此p型III族氮化物半导体的价带中的电子直接隧穿到n型掺杂半导体的导带中，从而在p型III族氮化物中产生空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 发光 器件 中的 空穴 注入 异质隧穿结 | ||
【主权项】：
暂无信息
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