[发明专利]腔室窗冷却用系统及冷却装置有效
| 申请号： | 201980024138.6 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111937130B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 保罗·E·佩尔甘德;詹姆斯·D·史瑞斯奈 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中提供用于冷却处理腔室窗的方式，具体而言，公开一种腔室窗冷却用系统及冷却装置。在一些实施例中，一种处理腔室窗冷却用系统可包括用于处理晶片的处理腔室，其中所述处理腔室包括窗。在一些实施例中，所述窗容许来自灯总成的光被递送到晶片。所述系统还包括能够与所述处理腔室一起操作的冷却装置，所述冷却装置用于将气体递送到所述窗。所述冷却装置包括用于支撑所述窗的支撑环。所述支撑环包括周边壁、以及透过所述周边壁形成的多个狭槽。所述多个狭槽可穿过所述窗递送气体(例如，空气)。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室窗 冷却 系统 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
