[发明专利]使用激光束对半导体基板进行局部金属化在审
| 申请号： | 201980024700.5 | 申请日： | 2019-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN112424956A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吕珮玄;本杰明·I·夏;戴维·阿龙·R·巴尔克豪泽;李·高尔尼 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;张芸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开描述了使用激光束对半导体基板进行的局部金属化，以及所得到的结构，例如微电子装置、半导体基板和/或太阳能电池。例如，太阳能电池包括基板以及设置在所述基板之中或上方的多个半导体区。多个导电接触结构电连接至所述多个半导体区。每个导电接触结构包括设置成与对应的半导体区接触的局部沉积的金属部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 激光束 对半 导体 进行 局部 金属化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
