[发明专利]光电转换元件和成像装置在审
申请号: | 201980025104.9 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN112074964A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 榎修;根岸佑树;长谷川雄大;八木岩;氏家康晴;齐藤阳介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;A61B1/04;G02B23/24;H01L27/146;H01L27/30 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
根据本发明实施例的光电转换元件包括:第一电极;第二电极,被布置与所述第一电极相对;和光电转换层,被布置为在所述第一电极和所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极相对,所述光电转换层包括由以下通式(1)表示的第一化合物和骨架不同于第一化合物的第二化合物。(R1至R10分别独立地表示氢原子,卤素原子,氨基基团,羟基基团,烷氧基基团,酰基氨基基团,酰氧基基团,苯基基团,羧基基团,酰胺基团,羰基烷氧基基团,酰基基团,磺酰基基团,氰基基团和硝基基团,直链、支链或环状烷基基团,芳基基团,杂芳基基团,杂芳基氨基基团,具有芳基氨基作为取代基的芳基基团,具有杂芳基氨基作为取代基的芳基基团,具有芳基氨基作为取代基的杂芳基基团、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基基团,或者它们的衍生物。R1至R10可以在除了R4和R5之间以外的两个相邻的取代基之间形成环。此外,R1至R10中的至少两者具有氢原子以外的取代基。) |
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搜索关键词: | 光电 转换 元件 成像 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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