[发明专利]基于形状计量的晶片位置评分有效
申请号: | 201980025234.2 | 申请日: | 2019-04-07 |
公开(公告)号: | CN111954928B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | S·巴纳吉;J·C·萨拉斯瓦图拉 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于基于形状计量的晶片位置评分的方法及系统。一种方法包含针对晶片上的至少两个位置选择基于形状的分组SBG规则。针对所述晶片位置中的一者,所述选择步骤包含使用所述一个位置的计量数据修改所述晶片的设计中的几何基元之间的距离且基于所述距离确定与以所述一个位置为中心的视场中的所述几何基元相关联的SBG规则的计量复杂性MC得分。所述选择步骤还包含基于所述MC得分针对所述一个位置选择所述SBG规则中的一者。所述方法还包含基于针对所述晶片上的所述至少两个位置选择的所述SBG规则对所述至少两个位置排序。 | ||
搜索关键词: | 基于 形状 计量 晶片 位置 评分 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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