[发明专利]摄像装置及摄像系统在审
申请号: | 201980025741.6 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN111989783A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 德原健富;宍戸三四郎;三宅康夫;町田真一 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/10;H01L27/146;H01L27/30;H04N5/369 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请的一个方案的摄像装置具备:半导体基板,其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面;第1晶体管,其位于上述第2面上;和光电转换部,其面向上述第2面,且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含:与上述第1晶体管电连接的第1电极;第2电极;和光电转换层,其位于上述第1电极与上述第2电极之间,且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0%~5%的范围内。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的