[发明专利]背面入射型半导体光检测元件在审

申请号：	201980026040.4	申请日：	2019-04-11
公开（公告）号：	CN111989786A	公开（公告）日：	2020-11-24
发明（设计）人：	田口智也;吉田侑生;柴山胜己	申请（专利权）人：	浜松光子学株式会社
主分类号：	H01L31/10	分类号：	H01L31/10
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	杨琦
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具备多个第二半导体区域(15)。多个第二半导体区域(15)分别包括：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。多个第二半导体区域(15)在从与半导体基板(11)正交的方向看时，沿彼此正交的第一方向和第二方向二维排列。第一区域(17)和第二区域(19)在与第一方向和第二方向交叉的方向上相邻。第一区域(17)的纹理表面(TS)在半导体基板(11)的厚度方向上位于比第二区域(19)的表面更靠近第一主面(11a)的位置。第一主面(11a)是对半导体基板的光入射面。
搜索关键词：	背面入射半导体检测元件
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