[发明专利]背面入射型半导体光检测元件在审

申请号：	201980026084.7	申请日：	2019-04-11
公开（公告）号：	CN111989788A	公开（公告）日：	2020-11-24
发明（设计）人：	田口智也;吉田侑生;柴山胜己	申请（专利权）人：	浜松光子学株式会社
主分类号：	H01L31/10	分类号：	H01L31/10
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	杨琦;黄浩
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)将多个第二半导体区域(15)设置于第二主面(11b)侧。多个第二半导体区域(15)分别包括：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。绝缘膜(21,23,25)具有：覆盖多个第二半导体区域(15)的表面的第一绝缘膜(23)；和覆盖垫电极(31)的周缘的第二绝缘膜(25)。垫电极(31)具有与第二区域(19)接触的第一电极区域(31a)和与第一电极区域(31a)连续的第二电极区域(31b)。第二电极区域(31b)配置于第一绝缘膜(23)中与第一区域(17)对应的区域的至少一部分。第一主面(11a)是朝向半导体基板(11)的光入射面。
搜索关键词：	背面入射半导体检测元件
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