[发明专利]用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法

摘要

根据本发明，一种用于制造具有二极管(2)的矩阵的光电器件(1)的方法，其中，所述二极管具有半导体堆叠(30)，所述方法包括以下步骤：‑提供生长衬底(10)，所述生长衬底具有涂覆有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11)；‑在所述成核表面上沉积电介质层(20)；‑在所述电介质层中形成多个通孔(21)，所述通孔(21)延伸到所述成核表面；并且此外：o蚀刻位于所述通孔中的成核层，以便释放承载表面的上表面并暴露成核层的侧表面，从而形成成核侧面(12c)；然后o形成在承载衬底中延伸的电介质区域(13)，使得在随后的外延生长步骤期间，每个第一掺杂段(31)尤其是自成核侧面形成的；‑在所述通孔(21)中并且从所述成核表面(12b)外延生长所述半导体堆叠，使得至少所述半导体堆叠的所述第一掺杂段和有源区域(32)位于所述通孔中。