[发明专利]隔离的背侧氦输送系统在审
| 申请号： | 201980026191.X | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111989770A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | L·布恩卡特;A·坎古德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括：多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 背侧氦 输送 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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