[发明专利]绝缘体上硅（SOI）技术中的横向装置在审
| 申请号： | 201980026586.X | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112106206A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 梁晴晴;F·卡罗博兰特;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·梅内戈里;A·哈德吉克里斯托斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的某些方面提供了一种半导体装置。一个示例半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 soi 技术 中的 横向 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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