[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980026896.1 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111989865A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 石津贵彦;米田诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种低功耗且能够稳定工作的半导体装置。包括具有沟道形成区中含有氧化物半导体的晶体管的电路结构的逻辑电路。逻辑电路是2输入2输出的二线式逻辑电路。构成逻辑电路的晶体管分别具有栅极及背栅极。输入端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的一方电连接。输出端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的另一方电连接。输出端子与电连接到提供低电源电位的布线的晶体管的源极和漏极中的一方电连接。电连接到提供低电源电位的布线电连接的晶体管的栅极或背栅极与输入端子电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980026896.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
