[发明专利]原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201980027076.4 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112004959A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 远津正挥;武田圭介;西田章浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C07F3/02;C23C16/455;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明使用含有下述通式(1)所示的镁化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料，在基体的表面生产率良好地制造含有镁原子的薄膜。(式中，R |
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| 搜索关键词： | 原子 沉积 薄膜 形成 原料 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
