[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
| 申请号： | 201980027097.6 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN112005344A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 田之上隼斗 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进行规定的处理；周缘去除装置，其将所述周缘部以所述改性层为基点去除；位置检测装置，其检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置；以及控制装置，其控制所述改性层形成装置和所述界面处理装置，在所述控制装置中，基于由所述位置检测装置检测出的所述改性层的位置，控制所述界面的由所述界面处理装置处理的位置，或者，基于由所述位置检测装置检测出的所述界面的位置，控制由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
