[发明专利]用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201980027586.1 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN112204718A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 提莫泽·L·奥森;克里斯多佛·M·斯坎伦 | 申请（专利权）人： | 德卡科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京中珒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11806 | 代理人： | 王中;张硕 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开一种制作半导体装置的方法，可包括提供一半导体裸片，该半导体裸片包含一前表面，该前表面包含一栅极压焊点及一源极压焊点，该半导体裸片还包含与该前表面相对的一背表面，该背表面包含一漏极。一栅极立柱可形成于该栅极压焊点上方并耦接至该栅极压焊点。一源极立柱可形成于该源极压焊点上方并耦接至该源极压焊点。一封装物可形成于该半导体裸片上方。一通孔互连结构可延伸于该封装物的相对的第一表面与第二表面之间。一RDL可经耦接至该栅极立柱、该源极立柱、及至该通孔互连结构。在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之后以及在形成该封装物于该半导体裸片上方之后，可将一焊盘压焊点形成于该半导体裸片的该背表面上方并耦接至该漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 装置 全模制 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
