[发明专利]静电保护元件和电子设备在审
申请号: | 201980027850.1 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN112041981A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 矶部裕史;巽孝明 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司;索尼公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/331;H01L27/04;H01L29/732 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及能够提高对静电的保护性能的静电保护元件和电子设备。静电保护元件设置有:第一导电类型的第一杂质区,其形成在半导体基板的预定表面侧;第二导电类型的第二杂质区,其形成在半导体基板的预定表面侧并在水平方向上与第一杂质区间隔开;集电极接触部,其形成在第一杂质区中的预定表面侧,具有高于第一杂质区的浓度,并且是第一导电类型的杂质区;基极接触部,其形成在第二杂质区中的预定表面侧,具有高于第二杂质区的浓度,并且是第二导电类型的杂质区;和发射极接触部,其形成在第二杂质区中的预定表面侧并且位于比基极接触部更接近集电极接触部的位置处,具有高于第二杂质区的浓度,并且是第一导电类型的杂质区。本技术例如能够应用于电子设备。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 元件 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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