[发明专利]用于降低接触电阻的基板处理的方法、装置及系统在审
| 申请号： | 201980027957.6 | 申请日： | 2019-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN112005357A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 欧岳生;J·魏;W·L·F·休;A·朱普迪;清水隆史;K·波;高德丰 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中提供了用于降低半导体设备的至少接触垫中的接触电阻的基板处理的方法、装置及系统。在一些实施例中，一种用于降低接触垫的接触电阻的基板处理的方法包括：在底座的至少一个通道中循环冷却流体；以及将定位在所述底座上的所述基板的背侧暴露于冷却气体，以将定位在所述底座上的基板冷却到小于70摄氏度的温度。在根据本原理的一些实施例中，所述方法可以进一步包括：将氢气或氢气组合分布在所述基板之上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 接触 电阻 处理 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
