[发明专利]用于制造包括超晶格的倒T形沟道场效应晶体管(ITFET)的器件和方法在审
| 申请号： | 201980029269.3 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN112074959A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | R·J·史蒂芬森 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件可以包括基板和在基板上并且包括超晶格的倒T形沟道。超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括在倒T形沟道的相对端上的源极区域和漏极区域，以及在源极区域和漏极区域之间覆盖倒T形沟道的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 晶格 沟道 场效应 晶体管 itfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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