[发明专利]制造晶体管的方法在审
| 申请号： | 201980029913.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN112074932A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | A·阿里;胡炳华;S·L·希尔伯恩;S·W·杰森;R·珍;J·B·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造晶体管的方法(500)包括：在半导体衬底上形成(502)第一电介质层；在第一电介质层上沉积(504)阻挡层；在阻挡层上沉积(506)抗反射涂层；沉积(508)及使光致抗蚀剂层中的图案暴露(510)于辐射，然后蚀刻(512)以提供开口；蚀刻(514)开口下方的抗反射涂层的一部分；蚀刻(516)开口下方的阻挡层的一部分以暴露第一电介质层的一部分；提供(518)环境氧化剂以生长氧化区域，然后移除(520)阻挡层；在移除阻挡层之后，将掺杂剂植入(522)到半导体衬底中；在将掺杂剂植入到半导体衬底中之后移除(524)第一电介质层；及在移除第一电介质层之后形成(526)第二电介质层，其中所述氧化物区域生长为比第二电介质层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
